碳化硅是一種具有優(yōu)秀的物理和化學(xué)性質(zhì)以及良好生物相容性的間接帶隙半導(dǎo)體,它的塊體材料的發(fā)光效率極低。由于量子限制效應(yīng),當(dāng)把碳化硅的尺寸減小到小于大約十納米時(shí),它將具有很強(qiáng)的波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)的發(fā)光,這使得碳化硅納米材料具有良好的應(yīng)用前景。然而,人們對(duì)于碳化硅納米材料的發(fā)光機(jī)制尚未完全理解,而碳化硅量子點(diǎn)由于自身的性質(zhì)使其在做成固體薄膜時(shí)容易團(tuán)聚而不發(fā)光。

通過(guò)一步法完成SiC量子點(diǎn)的合成和表面改性,并對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)和理化性質(zhì)進(jìn)行了表征,結(jié)果表明該量子點(diǎn)半徑小于激子波爾半徑,導(dǎo)致了量子限制效應(yīng)現(xiàn)象而產(chǎn)生光致發(fā)光,通過(guò)對(duì)其紅外光譜的分析發(fā)現(xiàn)碳化硅量子點(diǎn)表面既已耦合了巰基,因此該量子點(diǎn)可以作為量子點(diǎn)標(biāo)記技術(shù)中又一種新型的標(biāo)記材料,然后用SiC量子水相溶液對(duì)有、無(wú)根皮苷環(huán)境下的串珠鐮刀菌進(jìn)行標(biāo)記并長(zhǎng)時(shí)程熒光成像,同時(shí)讓已成功標(biāo)記的該菌侵染蘋果植株幼苗,試驗(yàn)表明,根皮苷能夠促進(jìn)串珠鐮刀菌的生長(zhǎng),主要表現(xiàn)在菌落成長(zhǎng)的速度和數(shù)量上,進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),串珠鐮刀菌生長(zhǎng)態(tài)勢(shì)隨周圍環(huán)境中根皮苷含量的增加而更趨旺盛,此外串珠鐮刀菌對(duì)蘋果幼苗侵染的動(dòng)態(tài)示蹤過(guò)程表明幼苗的第一感染部位為根毛區(qū)

相關(guān)資料

SiC碳化硅量子點(diǎn)

巰基修飾的SiC碳化硅量子點(diǎn)

氨基功能化SiC碳化硅量子點(diǎn)

羧基修飾SiC碳化硅量子點(diǎn)

NHS修飾SiC碳化硅量子點(diǎn)

碳化硅(SiC)量子點(diǎn)熒光材料

立方相碳化硅量子點(diǎn)半導(dǎo)體納米球

PEG包裹碳化硅(SiC)量子點(diǎn)熒光材料

三元量子點(diǎn)CdSeTe

多巴胺修飾的三元量子點(diǎn)

ZnCdTe/ZnS三元熒光量子點(diǎn)

三元CdPbSe熒光量子點(diǎn)

三元黃銅礦CuGaS2量子點(diǎn)

 Cu2MoS4熒光量子點(diǎn)

水相AgInS2@PEI量子點(diǎn)

葉酸修飾的AgInS2量子點(diǎn)

三元核殼結(jié)構(gòu)CuInS2/ZnS量子點(diǎn)

POSS-CdTe量子點(diǎn)

谷胱甘肽穩(wěn)定的CdTe量子點(diǎn)

 二氧化硅包裹碲化鎘量子點(diǎn)

巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)

氮硫共摻雜碳量子點(diǎn)(NSCQDs)

丁基氨基硫脲修飾碳量子點(diǎn)熒光探針

a-烷基吲哚乙酸碲化鎘量子點(diǎn)(CdTe-QDs-IAA)熒光探針

紅色熒光的羥基磷灰石/碲化鎘(HAp/CdTe)熒光探針

 聚苯乙烯修飾CdSe/ZnS熒光量子

Ag/ZnS熒光量子點(diǎn)

二硫化鎢熒光量子點(diǎn)(WS2 QDs)

AEE熒光分子DPPBPA

PEG包覆CuInS2熒光量子點(diǎn)

POSS修飾CdSeTe熒光量子點(diǎn)

 羧基酞菁鋅共價(jià)偶聯(lián)介孔二氧化硅

碳納米角/CdTe量子點(diǎn)復(fù)合納米材料

聚丙烯酸包覆的PAA-CdSe/ZnS量子點(diǎn)

溫敏性聚合物/熒光碳點(diǎn)雜化材料(PNIPAM/CDs)

氨基羧基修飾氧化鎢量子點(diǎn)

基因載體—碳量子點(diǎn)(PEI-GT-CDs)

碳量子點(diǎn)CQDs雜化CdIn2S4復(fù)合材料

透明質(zhì)酸-聚乙烯亞胺功能化碳量子點(diǎn)(HA-PEI-CDs) 

聚苯胺包覆CdSeTe量子點(diǎn)