晶體結(jié)構(gòu)即晶體的微觀結(jié)構(gòu)，是指晶體中實際質(zhì)點（原子、離子或分子）的具體排列情況。自然界存在的固態(tài)物質(zhì)可分為晶體和非晶體兩大類，固態(tài)的金屬與合金大都是晶體。晶體與非晶體的最本質(zhì)差別在于組成晶體的原子、離子、分子等質(zhì)點是規(guī)則排列的（長程序），而非晶體中這些質(zhì)點除與其最相近外，基本上無規(guī)則地堆積在一起（短程序）。金屬及合金在大多數(shù)情況下都以結(jié)晶狀態(tài)使用。晶體結(jié)構(gòu)是決定固態(tài)金屬的物理、化學(xué)和力學(xué)性能的基本因素之一。

晶體是各向異性的均勻物體。生長良好的晶體，外觀上往往呈現(xiàn)某種對稱性。從微觀來看，組成晶體的原子在空間呈周期重復(fù)排列。即以晶體中的原子或其集合為基點，在空間中三個不共面的方向上，各按一定的點陣周期，不斷重復(fù)出現(xiàn)。如從重復(fù)出現(xiàn)的每個基元中各取某一相當(dāng)點，則這些點合在一起形成一個空間點陣的一部分。確切地說，點陣是一組按連接其中任何兩點的矢量進行平移后而能復(fù)原的點的重復(fù)排列。

晶體大?。嚎啥ㄖ?br />晶體種類：Magnetic semiconductor，紅外半導(dǎo)體，拓撲材料，熱電材料
表征方法：EDS，SEM，Raman
bandgap：0.4 eV
規(guī)格：注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。
包裝：超凈袋真空包裝
傳導(dǎo)類型：N型；半絕緣型
晶體生長方式： CVT 化學(xué)氣相傳輸法
拋向：單拋或雙拋
可用表面積：> 90%

瑞禧科研定制：
PtTe2 晶體拓撲絕緣體、ReS2 二硫化錸、ReSe2 二硒化錸、RuCl3三氯化釕晶體、Sb2S3晶體、Sb2Te2Se晶體、Sb2Te3 碲化銻 晶體、Sb2TeSe2晶體、Sb2Te晶體、Sb16Te3晶體、SbTe晶體、Si2CuP3晶體、SiTe2晶體、SnBi2Te4晶體、SnBi4Te7晶體、SnPS3晶體、SnPSe3晶體、SnS 硫化亞錫 晶體、SnS2 硫化錫、SnSe 硒化亞錫 晶體、SnSe2  二硒化錫、SnSe2 二硒化錫 藍寶石基底SnSe2薄膜、SnTe晶體、MoS2 二硫化鉬、MoSe2 二硒化鉬、MoSSe 鉬硫硒、MoTe2  二碲化鉬；MoTe2 晶體2H 半導(dǎo)體相、MoVSe4晶體、MoWS4 鉬鎢硫、MoWSe4 (WMoSe4) 鉬鎢硒、Nb2SiTe4晶體、Nb3GeTe6晶體、NbReS4晶體、NbS2(2H) 硫化鈮、NbSe2 二硒化鈮、NbTe2 二碲化鈮  (1g)、NbTe2晶體、NbTe4晶體、Ta2NiS5 晶體、Ta2NiSe5 晶體、TaCo2Te2晶體、TaNi2Te2晶體、TaTe2 碲化鉭晶體、TaTe2 碲化鉭（1g)、TiS2 硫化鈦、TiSe2 硒化鈦、V2NiSe4晶體、VI3 碘化釩晶體、VS2二硫化釩晶體、VSe2 硒化釩、WS2 二硫化鎢 晶體、WSe2 二硒化鎢、WTaSe4 鎢鉭硒晶體、WTe2 碲化鎢、Zr5Te4晶體、ZrGeTe4晶體、ZrS2 二硫化鋯、ZrS3 三硫化鋯、ZrSe2 二硒化鋯、ZrSe3 三硒化鋯、ZrTe3 拓撲絕緣體、ZrTe5晶體、α-MoO3 晶體、摻釩(V)MoSe2晶體 MoVSe4、摻錸(Re) WSe2晶體 WReSe4、摻錸(Re)MoSe2晶體 MoReSe4、摻鉬（Mo：25%) WSe2晶體 MoWSe4、摻鈮(Nb)MoS2晶體 MoNbS4、摻鈮(Nb)MoSe2晶體 MoNbSe4