MXene通常由相應(yīng)的MAX相合成，其中X代表C或N（通過選擇性蝕刻）。蝕刻通常在HF水溶液中進(jìn)行，從而使MXene終止于F、O和OH等官能團(tuán)。與其他2D材料的表面不同，這些官能團(tuán)可以進(jìn)行化學(xué)修飾，而具有不同表面基團(tuán)的MXene會具備不同的特性，例如可開關(guān)的帶隙、可調(diào)節(jié)的功函數(shù)、半金屬性和鐵磁性等等。

 MXene的光學(xué)性能

一般地，MXene的線性光學(xué)性質(zhì)（如吸收、透過、光致發(fā)光）和非線性光學(xué)性質(zhì)（如飽和吸收、非線性折射率）高度依賴于其能量結(jié)構(gòu)（如能帶隙、直接/間接帶隙、拓?fù)湫再|(zhì)等），更具體地說，其色散特性和非線性介電函數(shù)（ε）或折射率（ n）。

一般情況下，介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)可用其介電函數(shù)ε(ω)來描述：其中ω是光學(xué)頻率，ε1(ω)和ε2(ω)分別是實(shí)部和虛部。在電子基態(tài)確定后，可在動(dòng)量表示中計(jì)算介電函數(shù)，這需要在有電子本征態(tài)和無電子本征態(tài)之間轉(zhuǎn)換矩陣元素。具體地說，介電函數(shù)的虛部可通過以下方程對空態(tài)求和來確定：其中e、m、Ω和分別是電子電荷、質(zhì)量、晶體體積和費(fèi)米分布。表示與晶體動(dòng)量k和旋σ對應(yīng)的第n本征值對應(yīng)的晶體波函數(shù)。利用Kramers-Kronig變換從虛部ε2(ω)可得到實(shí)部ε1(ω)。一旦確定了介電函數(shù)ε(ω)，就可以根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)關(guān)系估計(jì)出折射率、反射率和吸收或增益系數(shù)等等MXene的光學(xué)性能。

此外，由于帶間躍遷的動(dòng)量失配，能量等于帶隙的光子不能被間接帶隙MXenes吸收，通常需要較高的光子能量來激發(fā)電子躍遷。因此，間接帶隙MXene（例如Ti2CO2）可進(jìn)一步將其高傳輸窗口擴(kuò)展到更高的光頻率。在金屬或類金屬M(fèi)Xene材料中，還應(yīng)考慮低于1ev能量的帶內(nèi)躍遷，并且應(yīng)使用額外的Drude項(xiàng)校正介電常數(shù)。

MXene科研用試劑供應(yīng)：

單層納尺寸Ti3C2水分散液

單層氨基化V2C（V2C -NH2）Mxene

單層氨基化Nb2C（Nb2C -NH2）Mxene

單層氨基化Ti2C（Ti2C -NH2）Mxene

單層氨基化Ti3C2（Ti3C2-NH2)Mxene

單層W1.33C MXene

風(fēng)琴狀多層Ta2C MXenes材料

風(fēng)琴狀單層Ta2C MXenes分散液

單層Cr2C MXenes水分散液

多層VCrC-Mxene

單層VCrC-Mxene水分散液

V2C透明膜

氮硫摻雜V2Cmxene

V2CTx Mxene納米孔V2O5陣列

原位多層VOx-V2C MXene異質(zhì)結(jié)

羥基化Ti3C2

層狀Ti3C2-MXenes材料

Nb2AlC MAX材料

Ti2AlN-MAX材料

Ti3GeC2-MAX

Ti4AlN3-MAX

Ti3AlC2/Cr2AlC靶材

Ti3SiC2 MAX相靶材

Cu原位摻雜Ti3alC2-Cu