以磷化銦為代表的iii-v族元素量子點(diǎn)，不含重金屬元素，綠色環(huán)保，符合環(huán)境友好的標(biāo)準(zhǔn)，更加適用于工業(yè)化生產(chǎn)和推廣應(yīng)用。然而磷化銦核量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率低，穩(wěn)定性差，遠(yuǎn)低于硒化鎘量子點(diǎn)的性能?；诖耍斜匾峁┮环N發(fā)射峰半峰寬較窄且量子產(chǎn)率較高的磷化銦核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)及其制備方法，如下步驟：

制備銦前體溶液和磷前體溶液；

將所述銦前體溶液調(diào)節(jié)到第一溫度并加入所述磷前體溶液混合，形成含有磷化銦納米晶核的第一混合溶液；所述第一溫度為60～120℃；

將所述第一混合溶液升溫至第二溫度并保溫30～50min；所述第二溫度為200～300℃；

于所述第二溫度保溫之后降溫至第三溫度，加入脂肪酸、脂肪胺、非配位溶劑及氧化鋅前驅(qū)體，形成第二混合溶液；所述第三溫度為40～100℃；及

將所述第二混合溶液升溫至第四溫度并保溫20～30min，所述第四溫度為250～320℃，形成氧化鋅殼層包覆的磷化銦核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)。

上述磷化銦核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的制備方法，磷化銦核的合成步驟在第一溫度的低溫下混合控制磷化銦納米晶核的成核，在第二溫度的高溫下保溫以助于晶核生長，使得合成的量子點(diǎn)尺寸分布變得均勻，半峰寬變窄。此外，控制在第一溫度和第二溫度分步進(jìn)行，還可有效避免磷化銦納米晶核表面被氧化的風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而有利于自由的單體反應(yīng)物在晶種表面上生長，在一定程度上提升磷化銦量子點(diǎn)的光學(xué)性能。在形成氧化鋅的包殼過程中，控制氧化鋅前驅(qū)體在較低的第三溫度注入，進(jìn)而可在一定程度降低反應(yīng)活性，使其均勻分散在第一混合溶液中，促使反應(yīng)均勻；然后升高溫度使得殼層均勻的生長在核的表面，從而降低表面缺陷，使得磷化銦核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的發(fā)射峰半峰寬變窄，并提高了量子產(chǎn)率和發(fā)光效率。

上述磷化銦核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的制備方法，通過控制前軀體、溫度、反應(yīng)時間等，易于控制所得到的磷化銦核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的發(fā)射波長，且制得的磷化銦核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的半峰寬較小、量子效率較高。

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