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R-AB-1282	2英寸氮化鎵自支撐晶片（Si摻雜）	2英寸氮化鎵自支撐晶片（Si摻雜），西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1283	2英寸氮化鎵自支撐晶片（非摻雜）	2英寸氮化鎵自支撐晶片（非摻雜），西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1284	TSV通孔	TSV技術(shù)（穿透硅通孔技術(shù)），一般簡(jiǎn)稱硅通孔技術(shù)，是三維集成電路中堆疊芯片實(shí)現(xiàn)互連的一種新的技術(shù)解決方案。TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。能夠幫助客戶完成TSV個(gè)性化要求。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1285	PDMS工藝	PDMS（聚二甲基硅氧烷），PDMS易于加工，具有良好的化學(xué)惰性，光學(xué)透性好，成本低，是一種廣泛用于微流控等領(lǐng)域的聚合物材料。微流控器件的制作，為客戶提供整套PDMS微流控芯片解決方案。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1286	PI工藝	聚酰亞胺作為一種特種工程材料，被廣泛應(yīng)用于航空、航天、微電子、納米、液晶、分離膜、激光等領(lǐng)域。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1287	鍵合工藝	鍵合技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子器件的生產(chǎn)過(guò)程中，如微腔器件，懸臂梁器件，犧牲層，特殊結(jié)構(gòu)的制作等。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1288	刻蝕工藝	刻蝕（Etch）是按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù)，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。刻蝕分為干法刻蝕和濕法腐蝕。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1289	鍍膜工藝	真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或非金屬以氣相的形式沉積到材料表面，形成一層致密的薄膜。鍍膜質(zhì)量對(duì)半導(dǎo)體器件的功能形成至關(guān)重要。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1290	光刻工藝	光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫器件結(jié)構(gòu)，再通過(guò)刻蝕工藝將掩膜上的圖形轉(zhuǎn)換到襯底上。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1291	二維材料器件	二維材料是指電子僅可在兩個(gè)維度的非納米尺度（1-100nm）上自由運(yùn)動(dòng)（平面運(yùn)動(dòng)）的材料，如納米薄膜、超晶格、量子阱，目前二維材料已經(jīng)成為各個(gè)國(guó)家的研究重點(diǎn)。西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1292	Pd@UiO-66-NH2	Pd@UiO-66-NH2，西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)
R-AB-1293	Pd@MIL-53(Al)-NH2	Pd@MIL-53(Al)-NH2，西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。	查看詳細(xì)

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