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生物納米系列
| Item No | Product Name | Product Description | Product Description | Inquiry |
|---|---|---|---|---|
| R-AB-602 | 金膜基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-603 | 高阻本征硅基底MoSe2（>10000ohm.cm）太赫茲專用 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-604 | SrTiO3基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-605 | 云母基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-606 | FTO基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-607 | ITO基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-608 | 玻璃基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-609 | Si基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-610 | 柔性PET基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-611 | 石英基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-612 | 藍(lán)寶石基底MoSe2 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
| R-AB-613 | SiO2/Si基底MoSe2 氧化層厚度 非300nm | 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細(xì) | |
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