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生物納米系列
Item No | Product Name | Product Description | Product Description | Inquiry |
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R-AB-1138 | 二維紅外材料 鋯鍺碲 ZrGeTe4晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1139 | WTaSe4 鎢鉭硒晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1140 | 二維紅外材料 硅銅磷 Si2CuP3晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1141 | 二維紅外材料 鎳硅碲 Ni2SiTe4晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1142 | MoWSe4 鉬鎢硒晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1143 | MoWS2 鉬鎢硫晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1144 | MoSSe 鉬硫硒晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1145 | 銦磷硒 In2P3Se9 晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1146 | 鐵鍺碲 Fe3GeTe2晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1147 | 鉍氧碲 Bi2O2Te 晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1148 | 銀鉻硒 AgCrSe2晶體 | 晶體大?。?~10 mm 純度:>99.999 % 表征方法:EDS,SEM,Raman 晶體生長方式:CVT 化學氣相傳輸法 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 | |
R-AB-1149 | hBN 六方氮化硼晶體 | h-BN晶體尺寸達到2mm, h-BN薄片無缺陷產(chǎn)生,可以用作高性能2D電子和光子器件的2D絕緣模板的商用h-BN薄片。 六方氮化硼(h-BN)晶體非常適合作為2D材料的基板。 h-BN晶體是高度結(jié)晶的,在1566cm-1處顯示出強拉曼峰,F(xiàn)WHM小于5cm-1,顯示5.2 eV帶隙,被認為是寬帶隙半導體/絕緣體。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 | 查看詳細 |