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生物納米系列
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R-AB-602 金膜基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-603 高阻本征硅基底MoSe2(>10000ohm.cm)太赫茲專用 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-604 SrTiO3基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-605 云母基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-606 FTO基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-607 ITO基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-608 玻璃基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-609 Si基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-610 柔性PET基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-611 石英基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-612 藍(lán)寶石基底MoSe2 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
R-AB-613 SiO2/Si基底MoSe2 氧化層厚度 非300nm 產(chǎn)品簡介: MoSe2薄膜分為多種: 1) 單層離散分布的孤立晶粒,邊長一般是幾十微米。 2) 由孤立晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜,上面有多層區(qū)域。 3) 基底:MoSe2可選基底較多,其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,F(xiàn)TO,玻璃,金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。 應(yīng)用領(lǐng)域: 光電器件,微電子器件,生物傳感,化學(xué)傳感等領(lǐng)域。 西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。 查看詳細(xì)
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