CdTe量子點(diǎn)由于其發(fā)光范圍較易達(dá)到近紅外區(qū),在組織深層顯像方面的應(yīng)用一直被研究。油溶性的CdTe量子點(diǎn)尺寸均一、分散性好，較高結(jié)晶度；分散性較好的水溶性CdTe量子點(diǎn)表面帶有羧基，易于進(jìn)行修飾。CdTe量子點(diǎn)激發(fā)波長范圍寬、發(fā)射波長范圍窄,可以使用同一種激發(fā)光同時激發(fā)多種量子點(diǎn),發(fā)射出不同波長的熒光，能應(yīng)用于免疫熒光檢測以及光電子領(lǐng)域的應(yīng)用做出了一定的貢獻(xiàn)。
一、谷胱甘肽(GSH)修飾CdTe量子點(diǎn)

以谷胱甘肽(GSH)為穩(wěn)定劑,在水相中制備了CdTe量子點(diǎn),基于As3+離子對量子點(diǎn)熒光的淬滅作用,建立了定量測定As3+離子的方法。CdTe量子點(diǎn)對As3+離子呈現(xiàn)出高選擇性,其它常見金屬離子的存在對銅的測定幾乎不產(chǎn)生干擾。不同反應(yīng)時間和不同價態(tài)砷等因素對CdTe量子點(diǎn)的影響,量子點(diǎn)的相對熒光強(qiáng)度與As3+離子的濃度呈很好的線性關(guān)系,該方法的線性范圍為0.2~2·2μM,檢出限為20 nM。

二、環(huán)糊精水相修飾CdTe量子點(diǎn)

環(huán)糊精修飾的CdTe量子點(diǎn)的水相制備方法.首先合成CdTe納米晶核,再向CdTe納米晶核中加入巰基修飾的環(huán)糊精的水溶液,反應(yīng)一定時間即可形成環(huán)糊精修飾的CdTe量子點(diǎn),其發(fā)射波長在500～650納米范圍內(nèi)可調(diào).操作簡單,條件溫和,成本低,毒性小.合成得到的環(huán)糊精修飾的CdTe量子點(diǎn)水溶性,穩(wěn)定性好,熒光量子產(chǎn)率較高,發(fā)射光譜在可見光區(qū)內(nèi)可調(diào).

三、殼聚糖包埋水溶性CdTe量子點(diǎn)

 以巰基丙酸為穩(wěn)定劑,采用微波輔助水熱法合成水溶性的CdTe量子點(diǎn),然后用低分子量可溶性殼聚糖包埋CdTe量子點(diǎn),并對其性質(zhì)展開研究.結(jié)果顯示,制得的納米復(fù)合粒子的平均粒徑小于5 nm,且與單獨(dú)CdTe量子點(diǎn)相比,殼聚糖包埋CdTe量子點(diǎn)具有更高的熒光量子產(chǎn)率,熒光強(qiáng)度隨pH的變化也優(yōu)于單獨(dú)的CdTe量子點(diǎn),同時殼聚糖包埋后對CdTe的光穩(wěn)定性沒有影響,且包埋后CdTe量子點(diǎn)的Cells毒性降低.殼聚糖包埋CdTe量子點(diǎn)更適用于Cells標(biāo)記和生物成像。

四、透明質(zhì)酸修飾CdTe量子點(diǎn)

制備了以三巰基丙酸(MPA)為穩(wěn)定劑的AgInS2/ZnS量子點(diǎn).通過改變Ag和In的比例,獲得反應(yīng)比例為1:3時,量子點(diǎn)量子產(chǎn)率可達(dá)到0%-2%,通過透射電鏡表征可以看到具有良好的晶體結(jié)構(gòu),且分散性好,粒徑均勻約為10nm左右.采用共價鍵耦合的方法對AgInS2/ZnS量子點(diǎn)進(jìn)行了透明質(zhì)酸(HA)生物分子的表面修飾,修飾后仍具有很好的分散性和溶解性,且具有良好的膠體穩(wěn)定性,為之后的生物成像應(yīng)用奠定了理論實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ).


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